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  • 集成電路布圖設計保護法比較研究-《北大知識產權評論》

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    《北大知識產權評論》



    集成電路布圖設計保護法比較研究

    * 鄭勝利


    知識產權制度是社會創造的,我們的責任是對它進行揭示和闡述。

    一、引 言

    本文主要選擇以下四部法規和條約作為比較研究的對象,這是因為它具有相當的代表性。美國《984年半導體芯片保護法案》于1984年11月8日生效(以下簡稱《美國芯片法》),它開創了集成電路布圖設計保護的先河,此后各國有關此客體保護的法律及國際條約基本上是按此模式構造而成。世界知識產權組織(WIPO)于1989年5月8日至26日在美國首都華盛頓舉行了締結關于集成電路知識產權保護條約外交會議,會議以45票贊成、5票棄權、2票反對①,通過了《關于集成電路的知識產權條約》(以下簡稱《華盛頓條約》)。按該條約規定,只有5個以上國家批準,該條約方可生效②,但到1999年止,向世界知識產權組織遞交的正式批準書的只有1個國家③,故該條約未能生效。盡管如此,該條約的絕大多數實質性條款已被世界貿易組織(WTO)《與貿易有關的知識產權(包括假冒商品貿易)協議》(以下簡稱TRIPS)直接引用④,故《華盛頓條約》仍有重要的意義。中國國務院2001年4月2日頒布了《集成電路布圖設計保護條例》(以下簡稱《中國集成電路條例》),該條例于2001年10月1日起施行。雖然《中國集成電路條例》的制定與中國加入世界貿易組織有關,但這僅是制定該條例的因素之一,而不是該條例的目的,更不是其目的的全部。由美國國會1984年第98次會議通過,并由美國總統里根簽署的美國《1984年半導體芯片保護法》于1984年11月8日生效。美國之所以要通過這樣的法律,是因為半導體芯片工業在美國的產業中已占據一定的地位,1984年美國半導體芯片的銷售額為140億美元⑤,預計年增長率為20%— 30%⑥,現存的法律未能有效地制止芯片的復制,這將極大地抑制在開發芯片上的投資。美國眾議院在一份報告里曾經這樣寫著:“除非法律發生改變能對半導體芯片的生產提供某種保護,否則美國半導體工業以往引以為榮的工業領導地位將要消失,進而,已經開始了的信息社會也將不復存在①!痹诿绹,開發一個有1 200只晶體管這樣不太復雜的芯片,大概要花50萬美元和2至3年的時間,而復制這樣的芯片只需花3萬美元和3至6個月的時間②。Intel公司推出8088時是每片60美元,而當它被復制后就下跌為每片30美元;Zilog公司的Z-80芯片被復制后進人市場其價格下跌60%③。若新芯片的開發者未能收回在開發新芯片上的投資,今后就不會有人愿意去做這種開發工作。
    由于《美國芯片法》采用了互惠原則,即只有對美國國民、居住民和其他民事主體提供與美國相同保護的國家,其國民、居住民和其他民事主體才有可能獲得《美國芯片法》保護。這就促使其他國家,尤其是發達國家制定相應的法律,同時也促使國際條約的建立。自《美國芯片法》生效之日起(1984年11月8日)至《華盛頓條約》開放簽字之日止(1989年5月26日)制定相關法律的國家有13個(包括歐共體在內),其分別為美國、日本、歐共體、瑞典、英國、德國、荷蘭、法國、丹麥、西班牙、奧地利、盧森堡、意大利。
    《美國芯片法》生效后,世界知識產權組織就開始著手有關國際公約的制定工作。從1985年到1988年,世界知識產權組織先后召開4次專家委員會會議和3次發展中國家專家咨詢會議,1988年還專門為制定有關集成電路布圖設計保護國際公約外交會議召開了一次預備會議④。世界知識產權組織主持制定的《華盛頓條約》雖然獲得通過,但在保護期及非自愿許可等幾點關鍵條款上未能得到某些發達國家的認同,因此,該公約很難實施。
    1989年,當關于集成電路布圖設計保護的爭論正在進行的時候,另一場更加激烈的知識產權談判已經拉開序幕。1986年9月15日開始的關貿總協定第八輪談判經過激烈的爭論已將知識產權保護問題列入談判的議題,此輪談判因為是在烏拉圭的埃斯特角城發起,故稱“烏拉圭回合”。這樣某些發達國家在《華盛頓條約》不能滿足的利益,就有可能從烏拉圭回合中獲得,這完全應驗了中國人熟悉的那句老話,“你打你的,我打我的”;蛟S我們可以從中悟出點道道,理解科學技術在一個國家實力中所占的分量。
    1989年5月26日《華盛頓條約》開放簽字之前,中國學界就有一部分學者對這一新客體的知識產權保護制度進行研究,這些成果從那個時期的論文中可以反映出來!度A盛頓條約》開放簽字之后,中國就開始著手有關法律的起草工作, 1991年3月國務院法制局正式發文,將《半導體集成電路布圖設計保護條例》列入 1991—1992年度立法計劃!澳壳,中國的集成電路技術雖然還不發達,但從保護和鼓勵智力創作及發展中國集成電路工業的長遠利益出發,很有必要制定一部既適應中國集成電路產業發展需要,又符合國際知識產權保護原則的集成電路知識產權保護專門法規!雹贆C械電子工業部俞忠鈺總工程師的上述觀點大概可以反映中國集成電路工業的現狀及中國政府對集成電路布圖設計知識產權保護的立場。中國經過了大約10年的努力及對該條例十多次的討論修改,集成電路布圖設計保護的立法終于在2001年4月2日劃了句號。

    二、集成電路布圖設計保護客體

    專利法的保護客體是發明創造,著作權法的保護客體是作品,而集成電路布圖設計保護法的保護客體則是布圖設計。
    集成電路芯片的設計一般分為兩個步驟。第一步驟稱為邏輯設計,它是根據該集成電路芯片所要執行的功能,利用導線將一些基本邏輯組件(如與非門、或非門、反門、異或門、三態門、全加器、半加器、觸發器、寄存器、鎖存器、存儲單元等)連接在一起,最后列出所有邏輯組件的連接網表(簡稱為網表)。第二個步驟稱為布圖設計(也有人稱之為布局設計、版圖設計、掩膜設計等),它是根據第一步的邏輯設計所提供的網表,根據所選擇電路,根據具體的工藝條件,對芯片里所有的邏輯組件及其之間的連線進行幾何配置和布局。在設計中,組件的位置和尺寸應滿足電路的設計要求和設計規則(主要指極限尺寸);ミB層次應滿足工藝規范,而整個芯片應以盡可能小的面積實現原設計的性能要求。布圖設計的“產品”是一套類似于照相底片那樣的掩膜。不過,它要比照像底片精細得多,目前工藝可以做到0.4微米或更細。我們所討論的法律要保護的就是體現于這組掩膜上的布圖設計。
    生產集成電路芯片實際上就是將這組掩膜嵌入(三維復制)到硅片或其他半導體材料中,目前集成電路芯片的制造主要是用硅(半導體)作材料,它是在硅單芯片上按光掩膜上的圖形利用生長和沉積等技術一層一層地做。因此,一個芯片上的光掩膜是一組而不是一張,這樣一組光掩膜就呈現一個三維的圖形。版圖設計師所要做的就是根據半導體芯片制作原理將各個電路在空間的位置做出合理的安排,即把二維的電路圖變成一個三維的圖形,這個三維的圖形是用分層來表示的。將二維電路圖轉換成這樣一組光掩膜是個很耗費時間的過程,也是開發芯片的主要投資。相對而言,從芯片上將這組光掩膜復制出來就顯得容易得多,所需的主要設備就是一個精密的高放大倍數的照相機,例如,可放大400倍的照相機①。復制者拿來一塊半導體芯片,想法將塑料或陶瓷的外殼打開,用照相機把頂上的金屬連接層照下來之后,用酸把這層金屬溶解掉,這樣就可以照下面那層的半導體材料的圖形,照完了后改變一下照相機上的焦距再照更下一層。如此一步一步做下去就可以得到一個與原光掩膜完全相同的復制品,用這樣的復制品作適當的技術修整就可以去生產同樣的芯片。
    集成電路布圖設計的保護客體有不同的稱謂,但其本質并無太大差別,美國稱為掩膜作品(maskwork),中國、瑞典、俄羅斯、韓國稱為布圖設計(1ayout—design),日本稱為電路布圖(circuitlayout),歐共體、英國、德國、荷蘭、法國、丹麥、西班牙、奧地利、盧森堡、意大利、葡萄牙、比利時、匈牙利稱為拓樸圖(topographies),《華盛頓條約》、TRIPS及我國香港則干脆將布圖設計與拓樸圖視為同義詞,統稱為布圖設計(拓樸圖),英文為layout-design(topographies)!睹绹酒ā肪幦嗣绹17U. S.Code的第九章(17U.S.Code的前八章是版權法),其注冊等有關手續也由版權局管理,但它是自成一類的,并不屬于版權法!睹绹酒ā窞槭裁床扇☆愃朴诎鏅喾ǖ谋Wo方式,而不采取類似于專利法的保護方式?美國當年的專利商標局長GeraldMossinghlog在眾議院聽證會上是這樣說的:“專利保護適用于制造芯片本身,如果這些方法、線路或產品本身符合專利性要求的話。電子專利本來是可以用于保護電子線路的制造、使用與銷售,但因為芯片上的這些電子線路一般是公知的,因此也就不具有專利性。制造芯片方法的專利或作為產品的芯片本身的專利一般來說并不保護(掩膜)設計!雹诩热弧睹绹酒ā凡捎妙愃瓢鏅嗟谋Wo方式并續接到美國版權法,故將其保護客體稱為“掩膜作品”(類似版權保護客體的“作品”)而不是簡單地稱為“掩膜”也就順理成章。按照《美國芯片法》的定義,“掩膜作品”是一套已固著或已編碼的相關圖像,它們
    (A)具有或表示半導體芯片產品各層預定出現或不出現金屬、絕緣或半導體材料形成的三維空間圖形;并且
    (B)此套圖像之間的關系是每個圖像在半導體芯片中都有一種形式的平面圖形①。
    《華盛頓條約》與《中國集成電路條例》關于布圖設計定義除個別詞序外幾乎一樣,現將《華盛頓條約》第2條(2)款摘錄如下:
    “布圖設計(拓樸圖)”是指集成電路中多個組件,其中至少有一個是有源組件,和其部分或全部集成電路互連的三維配置,或者是指為集成電路的制造而準備的這樣的三維配置。
    定義中的“多個組件”意將分立組件(如單個晶體管)的布圖設計排除在外,而“至少有一個是有源組件”則將僅由無源組件(如二極管矩陣,電客矩陣)的布圖設計排除在外。
    概括起來,集成電路布圖設計保護客體既是指集成電路中組件和互連線路的三維配置,又是指為制造集成電路而準備的上述三維配置,如果把后者比做相片的“底片”的話,則前者就是“相片”。按照立法宗旨,對布圖設計的保護絕不延及任何思想、原理、發現、處理過程、操作方法或數學概念等,而不管它們以何種形式在布圖設計中進行描述、解釋、闡明或嵌入,這一界定在大多數國家的法律條款中都是明示的。

    三、集成電路布圖設計保護要件

    所謂的保護要件是指為獲得法律保護所必須滿足的實質性條件,例如,專利的保護要件是新穎性、創造性(或非顯而易見性)和實用性,著作權的保護要件是原創性(origiinality)。雖然集成電路布圖設計的保護要件也引用原創性原則,但其內容與著作權的原創性卻有所不同。對著作權而言,作品只要能確定系作者自己的創作而非抄襲、復制,則該作品就具備原創性的條件。對于集成電路布圖設計而言,由于它必須遵守工程設計原理、方法、規范,甚至采用設計常規,但這些知識已進入公有領域,屬人類共有,不得作為“私權”,這是知識產權有別于其他財產權一大特征。而對于智力成果,只能對自己創造、創作或其他智力活動而產生的信息主張有限度的權利!柏澨熘,據為已有”違反了人類的理性。所以在布圖設計法律保護制度中,原創性是指該布圖設計系創作者自己的智力勞動成果,并且在布圖設計創作者和集成電路制造者中,該布圖設計不是常規的設計。上述這句話概括起來就是,布圖設計的原創性等于“自己創作”加“非常規設計”。
    目前,集成電路布圖設計絕大多數都以CAD(計算機輔助設計的英文縮寫)軟件為工具,并且把基本邏輯組件的版圖設計收集起來作為“單元庫”(數據庫的一種)提供利用,其原理就如同搭積木。因此,這種集成電路就其每個基本邏輯組件來說,都可以認為是屬于常規的標準設計。對于這種由若干常規組件互連組合而成的集成電路,對其布圖設計只有在其組合作為一個整體上看符合“自己創作”加“非常規設計”時,才具備原創性條件。
    上述有關布圖設計原創性條件幾乎毫無例外地被各國有關保護布圖設計法律及國際公約所接受,現摘錄部分有關條款如下:
    《中國集成電路條例》第4條:
    “受保護的布圖設計應當具有獨創性,即該布圖設計是創作者自己的智力勞動成果,并且在其創作時該布圖設計在布圖設計創作者和集成電路制造者中不是公認的常規設計。
    受保護的由常規設計組成的布圖設計,其組合作為整體應當符合前款規定的條件!
    《華盛頓條約》第3條(二)款:
    原創性要求:
    “(A)……適用于具有原創性的布圖設計(拓樸圖),即該布圖設計(拓樸圖)是其創作者自己的智力勞動成果,并且在其創作時在布圖設計(拓樸圖)創作者和集成電路制造者中不是常規的設計。
    (B)常規的多個組件和互連組合而成的布圖設計(拓樸圖),只有在其組合作為一個整體符合(A)項所述的條件時,才應受到保護!
    《美國芯片法》第902條(b)款:
    “本章對掩膜作品的保護不適用于下列掩膜作品:
    (1)不具備原創性;或者
    (2)設計已廣泛采用的,平凡的或為半導體工業界所熟悉的,或者設計雖有變化,但其組合從整體上看并不具備原創性!
    《中國集成電路條例》使用“獨創性”而不使用“原創性”從字面上至少有以下兩個特點:第一,有別于版權中的“原創性”,第二,將布圖設計中常規設計排除在外更為明顯。遺憾的是英文中很難找到相應的詞以示這種差別,故統稱為orisinality,對本文而言,“原創性”與“獨創性”為同義。
    前面分析了集成電路布圖設計與著作權的保護要件的相同點和不同點,下面再將它與專利的保護要件進行比較。專利的保護要件是新穎性、非顯而易見性 (或創造性)和實用性。其中非顯而易見性是指申請專利的發明創造與現有技術相比較,對于該領域的普通技術人員來說是非顯而易見的。判斷非顯而易見性有兩個參照物,技術的參照物是現有技術、人員的參照物是本行業普通技術人員。與判斷新穎性不一樣,判斷非顯而易見性可以采取“多對一”的比較方法,即將多個信息源(如多個已有的專利技術)綜合起來與該技術方案進行比較,比較的結果只有按"本行業普遍技術人員"的標準來看是非顯而易見的,則才滿足"非顯性"的要求。這也就是平常所說的,技術方案要獲得專利必須具有一定的發明跨度。顯然,"非顯而易見"要比"非常規設計"的標準高。換句話說,能達到"非常規設計"的,未必就能達到"非顯而易見"。
    現將集成電路布圖設計與專利、版權保護要件列表比較如下:
    專 利 集成電路布圖設計 版 權
    要件 ①新款性;②創造性(非顯而易見性);③實用性 ①自己創作;且②非常規設計 自己創作(原創性)
    由此可見,集成電路布圖設計的獨創性要求高于版權中的原創性要求,但低于專利中的非顯而易見性要求。

    四、集成電路布圖設計專有權

    集成電路布圖設計是一種工程設計,其專有權有以下兩個特征:第一,集成電路的布圖設計需要昂貴的設備和大量的資金,因此,絕大多數設計屬職務創作或雇傭創作,其布圖設計專有權直接歸設計人所供職的法人或雇主所有。這一點反映出現代知識產權制度的新變化,例如,美國專利法規定,申請專利只能是發明人(自然人),而不是其雇主或供職的法人,然而,《美國芯片法》卻規定:"……對于受雇工作范圍內所創作的掩膜作品,則所有權人是指雇傭該掩腌作品創作人的雇主……"①。第二,因為集成電路布圖設計是一種工程設計,故其精神權利遠不如經濟權利那么重要,有關專有權的條款只有經濟權利的規定,而無精神權利的規定。概括起來,布圖設計專有權主要有4項(全部是經濟權利):
    1.復制權
    復制是侵犯布圖設計專有權的"源頭",沒有未經許可的復制,也就不可能有其他侵權行為的發生。因此,各國法律及國際公約均將未經布圖設計權利人許可,復制受保護的布圖設計的全部或者其中任何具有獨創性的部分規定為侵權行為。因為制造嵌入該布圖設計的集成電路芯片屬于復制行為,所以集成電路布圖設計保護法一般只規定復制權,不再規定制造權。也就是說,復制既包括掩膜復制,也包括芯片復制,即制造含有該掩膜作品的芯片。不過,復制無獨創性的部分不是侵權行為。此外,反向工程中的復制屬侵權例外,這一點將在專有權限制部分討論。
    2.進口權、銷售權、提供權
    《中國集成電路條例》第30條(二)款規定:
    “……有下列行為之一的,行為人必須立即停止侵權行為,并承擔賠償責任:……(二)為商業目的進口、銷售或者其他方式提供受保護的布圖設計、含有布圖設計的集成電路或者含有該集成電路的物品的。
    上述條款包括三個層面:進口、銷售或以其他方式提供該布圖設計;進口銷售或以其他方式提供含有該布圖設計的集成電路芯片;進口銷售或以其他方式提供含有該集成電路芯片的物品!
    《美國芯片法》原本并無規定第三層面的專有權,《華盛頓條約》也無要求第三層面專有權的強制性規定,只是在TRIPS談判時,美、日等國代表強烈要求,才將專有權延伸到第三層面,F將有關條款,摘錄如下,以示對照。
    《美國芯片法》第905條(2)款:
    “本章所保護的掩膜作品的所有權人有以下專屬權或授予權:……(2)進口或行銷嵌入其掩膜作品的半導體芯片產品;”
    《華盛頓條約》第6條(一)款:
    “(A)任何締約方應認為未經權利持有人許可而進行的下列行為是非法的:……(2)為商業目的進口、銷售或者以其他方式供銷受保護的布圖設計(拓樸圖)或者其中含有受保護的布圖設計(拓樸圖)的集成電路。
    (B)對于未經權利持有人許可而進行的除第(A)所述以外的其他行為,任何締約方亦有確定其為非法的自由!
    TRIPS第36條:
    “……締約方應將未經權利及所有者同意而進行的下述行為認作是非法行為,即為了商業
    目的而進口、出售、或推銷受到保護的布圖設計,一種采用了受到保護的布圖設計的集成電路,
    或者一種采用上述集成電路的產品,只要它仍然包括一個非法復制的布圖設計!
    TRIPS協議所界定的知識產權有7項,其中只有工藝品外觀設計、專利和集成電路布圖設計設置了進口權,而版權、商標等均無進口權的規定。進口權直接與知識產權“權利窮竭”理論相關聯。按“權利窮竭”理論,由專利人生產或授權生產的產品(俗稱“真品”)投放市場后,權利人對該產品的控制權即告“窮竭”,該產品的合法持有人對該產品有自由處分的權利,包括自由銷售的權利。因此就產生了權利窮竭是在國際范圍內,還是在一個經濟區域內,例如,在一個國家內,前者稱為“國際窮竭”,后者稱為“區域窮竭”或“國內窮竭”。大多數知識產權(專利、商標、工業品外觀設計、集成電路等)均必須注冊或申請授權后才能產生,在那些沒注冊或沒授權的國家或地區,該項知識產權就不存在,因此,第三者生產該產品就談不上侵權。只有當該產品輸出到對其享有知識產權國家或地區口岸時,其進口才是侵權行為。這就是說,權利人可以對不是其生產又未經其授權生產的產品主張進口權。但是,權利人是否可以對自己生產或授權他人生產的產品主張進口權,這就涉及到真品的平行進口問題。筆者傾向于“國際窮竭”理論,因為“區域窮竭”與當代經濟潮流“經濟全球化、貿易自由化”相左。按照這樣的思路,真品平行進口應“原則放行,例外禁止”,只有滿足以下條件的真品才禁止平行進口:(1)權利人在進口國享有“進口權”;(2)真晶來源地屬于權利人特殊銷售政策,該銷售政策有正當的理由以低于國際市場的價格投放市場,或者進口人的進口行為屬于不正當競爭;(3)在真品的適當位置明確標示允許流通的區域,而進口國不在該區域之內。

    五、集成電路布圖設計專有權限制

    1.反向工程
    美國期望集成電路布圖設計中的反向工程能有利于設計出功能相同而性能更優、尺寸更小、制造成本更低的半導體芯片①,故其1984年制定的半導體芯片保護法明確地將反向工程規定為不侵犯其專有權的行為,作為對集成電路布圖設計專有權限制之一。英特爾公司的法律顧問Jr.Thomas Dunlap當年在國會作證時說,開發一種新芯片要花三至三年半的時間,用反向工程重新設計要花一至一年半的時間,而直接復制只需花三至五個月的時間②;一個花400萬美元開發出來的芯片用反向工程重新設計要花100萬美元③。從技術層面上看,直接復制與反向工程技術效果不一樣,直接復制制造集成電路在技術上沒有創新而反向工程制造集成電路則往往在技術上會有創新。1989年,世界知識產權組織主持制定的《關于集成電路的知識產權條約》也吸取了同樣的規定,此規定在TRIPS協議中得到確認 (TRIPS第35條)。我國也采取同樣的立場,《中國集成電路條例》第23條規定:
    “下列行為可以不經布圖設計權利人許可,不向其支付報酬:
    (一)為個人目的或者單純為評價、分析、研究、教學等目的而復制受保護的布圖設計的;
    (二)依據前項評價、分析受保護的布圖設計的基礎上,創作出具有獨創性的布圖設計的;
    (三)對自己獨立創作的與他人相同的布圖設計進行復制或者將其投入商業利用的!
    2.權利用盡
    權利用盡是在知識產權制度中經常用以對知識產權專有權進行的一種限制,美國將此種限制稱為“首次銷售”(tintsale),其意是指知識產權產品首次投入市場后,權利人對該產品的部分權利即告窮竭!皺嗬帽M”限制在《美國芯片法》、《華盛頓條約》、TRIPS及許多國家的法律中同樣得到實現。我國《集成電路條例》第24條規定:受保護的布圖設計、含有該布圖設計的集成電路或者含有該集成電路的物品,由布圖設計的權利人或者經其許可投放市場后,他人再次商業利用的,可以不經布圖設計權利人許可,并不向其支付報酬。在理解“權利用盡”時,以下兩點必須注意:
    (1)權利用盡的只是其部分權利,而不是全部權利,其原則是排除知識產權權利人對該產品或物品再次利用的控制權,而不是剝奪權利人其他的專有權。對集成電路布圖設計而言,權利用盡不包括復制權。因此,未經布圖設計所有權人許可不得制造或者協助制造含有該布圖設計的集成電路芯片。
    (2)集成電路布圖設計權利用盡不適用于未經權利人許可而制造的集成電路芯片。
    3.無知侵權
    無知侵權是指當事人在獲得某集成電路芯片時不知道或沒有合理的依據推定其知道該集成電路包含有非法復制的布圖設計,因購買且投入商業性利用而可能造成對布圖設計專有權人利益的侵害。因布圖設計是嵌入在集成電路芯片里,肉眼是無法觀察到的,經營者僅依靠正常渠道可得知的表面現象往往很難判斷是否含有侵權的布圖設計。因此,為了公平的分擔責任和解決糾紛,美國《1984年半導體芯片保護法》對此作了明確的規定,后來,世界知識產權組織主持制定的《關于集成電路韻知識產權條約》及許多國家的法律都采取同樣的立場。
    《中國集成電路條例》第33條規定:
    “在獲得含有受保護的布圖設計的集成電路或者含有該集成電路的物品時,不知道也沒有合理理由應當知道其中含有非法復制的布圖設計,而將其投入商業利用的,不視為侵權。前款行為人得到其中含有非法復制的布圖設計的明確通知后,可以繼續將現有的存貨或者此前的訂貨投入商業利用,但應當向布圖設計權利人支付合理的報酬!
    4.非自愿許可
    1989年5月8日至26日,世界知識產權組織在主持制定《關于集成電路的知識產權條約》時,非自愿許可是發達國家與發展中國家爭論的一個焦點之一,發展中國家經過不懈努力爭取到稍微寬松一點的非自愿許可的條件,這個條件是“第三者按商業慣例經過努力而未經取得權利持有人許可”,而國家主管機關根據第三者的申請“認為授予非自愿許可對于維護其視為重大的國家利益是必要的!雹俚,在制定TRIPS時,由于發達國家代表的強烈主張,非自愿許可條件做了更為嚴格的限制,其條件與專利非自愿許可的條件相同①。根據TRIPS協議,我國也將非自愿許可的條件限制在下列三種情況:國家出現緊急狀態,為了公共利益目的和權利人不正當競爭!吨袊呻娐窏l例》第25條規定:
    “在國家出現緊急狀態或者非常情況時,或者為了公共利益的目的,或者經人民法院、不正當競爭行為監督檢查部門依法認定布圖設計權利人有不正當競爭行為而需要給予補救時,國務院知識產權行政部門可以給予使用其布圖設計的非自愿許可!绷、保護期限和布圖設計登記
    保護期限也是發達國家與發展中國家爭論的焦點之一,《美國芯片法》規定保護期為10年②。在討論《關于集成電路的知識產權條約》時,經發展中國家的共同努力,爭取到了保護期至少為8年的規定③,但到了TRIPS談判時,發達國家的主張又使保護期延長到了10年④。我國根據TRIPS的要求將保護期規定為10年!吨袊紙D設計條例》第12條規定:布圖設計專有權保護期為10年,自布圖設計登記之日或者在世界任何地方首次投入商業利用之日起計算,以較前日期為準。但是,無論是否登記或者投入商業利用,布圖設計自創作完成之日起15年后,不再受本條例保護。
    知識產權權利的產生大致可以分為3種制式:(1)自動保護制,我國和世界上絕大多數國家的版權制度采用這種制式,其權利的產生基于作品創作完成這一法律事實;(2)實審授權制,我國的發明專利和世界上絕大多數國家的專利制度采用這種制式,其權利的產生基于主管當局對當事人申請保護的內容進行實質性審查,符合法律規定的才授予專利權;(3)登記制,其權利的產生基于當事人的登記申請和主管當局對申請文件和材料作形式審查,形式上符合法律規定的則準予登記并產生權利。我國的實用新型和外觀設計專利“初步審查制”與登記制類似,它除對申請文件形式審查外,對申請的內容也做了明顯性審查,如申請主題是否明顯在法定范圍之外,申請內容是否明顯違反公序良俗等。登記制有利于管理,有利于證據的獲取,有利于公示和減少糾紛,而且申請手續簡單方便,比較符合集成電路技術的發展速度。中國、美國和大多數國家對集成電路布圖設計保護均采用登記制,《華盛頓條約》和TRIPS協議對此沒有強制性規定。



    * 鄭勝利,北京大學知識產權學院秘書長,法治研究中心主任,教授,博士生導師。
    ① 俞忠鈺:《集成電路法律保護制度》,見:中國科學技術藍皮書第七號《中國的知識產權保護制度》, 1992年8月。
    ② WIPO《關于集成電路的知識產權條約》第16條。
    ③ 湯宗舜:《知識產權的國際保護》,人民法院出版社1999年版,第142頁。
    ④ TRIPS第35條。
    ⑤ Slatement of Pesldent Reagan on signing the chip Act(Nov.9,1984).
    ⑥ Hearings on s.1201 before the Subcomm.on Pdents,Copyrights and Trademarks of the Senate Comm.on the judiciary,98th cong.1“Sess 1(1983)(hereinafter referred tO as“S.Hearings"),opening statement of senator Mathias,Chairman,wsnale Subcomm.on Patents,C0pyrights and trademarks.
    ① H.R.Rep..No.781,98thcone.2d sess.2—3(1984).
    ② S.Hearingsat799statementOfDr.taytonOflatersil,Inc.
    ③ copyright protectionfOrsemiconductor Chips,HearingaOnH.H.R.1028 beforetheSubcom.On Courts,Civil liberties,sndtheAdministrationOfjusticeOf the HouseJudiciarycolnln,98dlcOnS.1dSess.66(1983)(hereinafter referredtOas“H.Hearings"),StatementOfDr.ChristopherK.Layton,Intersil,hc.
    ④ 俞忠鈺:《集成電路法律保護制度》,見:中國科學技術“藍皮書第七號”《中國的知識產權保護制度》,1992年8月。
    ① 俞忠鈺:《集成電路法律保護制度》,見:中國科學技術“藍皮書第七號”《中國的知識產權保護制度》,1992年8月。
    ① S.Hearingsat79(StatementOfDr.Layton,Intersil,Inc)
    ② H.Hearings(Statement Of Commissioner Mossinghoff).
    ① UnitedState8CodeTldel7-ProtectionofSemiconductorChipProducts901(a)(2)
    ① UnitedStates CodeTitlil7-ProtectionOfSemiconduetorChipProduct8901(a)(6)
    ① S.Hearings at75(Statement of F.Thomas Dunlat,Jr.,Corpomte Counsel and Secretary,Intel Corp.).
    ② H.Hearings at 33(Testimony Of F.Thomas Dunlap,Jr.,Corporate counsel and Secretary,Intel Corp.)
    ③ S.Heaxings at 66(Testimony Of F.Thomas Dunlap,Jr.,Corporate Counsel and Secretary,Intel COrp.).
    ① WIPO:《關于集成電路知識產權條約》第6條(三)款。
    ① TRIPS第37條2款。
    ② UnitedS tates Code Title 17-Protection of Semiconductor Chip Products 904.
    ③ 《關于集成電路的知識產權條約》第八條。④ TRIPS第38條。

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